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Protonendotierung von Silizium

Untersuchung und Modellierung protoneninduzierter Dotierungsprofile in Silizium
 
 
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Johannes G. Laven beschreibt die Dotierung von kristallinem Silizium mittels Protonenimplantationen mit Energien im Bereich weniger Megaelektronenvolt. Hiermit können Dotierungsprofile in Tiefen zwischen Mikrometern bis weit über 100 µm erzeugt und...
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Kommentar zu "Protonendotierung von Silizium"
 
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