Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices (PDF)
This book systematically introduces physical characteristics and implementations of III-nitride wide bandgap semiconductor materials and electronic devices, with an emphasis on high-electron-mobility transistors (HEMTs). The properties of nitride...
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This book systematically introduces physical characteristics and implementations of III-nitride wide bandgap semiconductor materials and electronic devices, with an emphasis on high-electron-mobility transistors (HEMTs). The properties of nitride semiconductors make the material very suitable for electronic devices used in microwave power amplification, high-voltage switches, and high-speed digital integrated circuits.
Yue Hao, Jin Feng Zhang, and Jin Cheng Zhang are affiliated with Xidian University, China.
- Autoren: Yue Hao , Jin Feng Zhang , Jin Cheng Zhang
- 2016, 392 Seiten, Englisch
- Verlag: Taylor & Francis
- ISBN-10: 149874513X
- ISBN-13: 9781498745130
- Erscheinungsdatum: 03.11.2016
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- Dateiformat: PDF
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