Fundamentals of Modern VLSI Devices (PDF)
(Sprache: Englisch)
A thoroughly updated third edition of an classic and widely adopted text, perfect for practical transistor design and in the classroom. Covering a variety of recent developments, the internationally renowned authors discuss in detail the basic properties...
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Produktinformationen zu „Fundamentals of Modern VLSI Devices (PDF)“
A thoroughly updated third edition of an classic and widely adopted text, perfect for practical transistor design and in the classroom. Covering a variety of recent developments, the internationally renowned authors discuss in detail the basic properties and designs of modern VLSI devices, as well as factors affecting performance. Containing around 25% new material, coverage has been expanded to include high-k gate dielectrics, metal gate technology, strained silicon mobility, non-GCA (Gradual Channel Approximation) modelling of MOSFETs, short-channel FinFETS, and symmetric lateral bipolar transistors on SOI. Chapters have been reorganized to integrate the appendices into the main text to enable a smoother learning experience, and numerous additional end-of-chapter homework exercises (+30%) are included to engage students with real-world problems and test their understanding. A perfect text for senior undergraduate and graduate students taking advanced semiconductor devices courses, and for practicing silicon device professionals in the semiconductor industry.
Bibliographische Angaben
- Autor: Yuan Taur
- 2021, Englisch
- Verlag: Cambridge University Press
- ISBN-10: 1108848052
- ISBN-13: 9781108848053
- Erscheinungsdatum: 30.11.2021
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eBook Informationen
- Dateiformat: PDF
- Grösse: 28 MB
- Mit Kopierschutz
- Vorlesefunktion
Sprache:
Englisch
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