Tunneling Field Effect Transistor Technology
(Sprache: Englisch)
This book provides a single-source reference to the state-of-the art intunneling field effect transistors (TFETs). Readers will learn the TFETsphysics from advanced atomistic simulations, the TFETs fabrication process andthe important roles that TFETs...
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Produktinformationen zu „Tunneling Field Effect Transistor Technology “
Klappentext zu „Tunneling Field Effect Transistor Technology “
This book provides a single-source reference to the state-of-the art intunneling field effect transistors (TFETs). Readers will learn the TFETsphysics from advanced atomistic simulations, the TFETs fabrication process andthe important roles that TFETs will play in enabling integrated circuit designsfor power efficiency.
Inhaltsverzeichnis zu „Tunneling Field Effect Transistor Technology “
SteepSlope Devices and TFETs.- Tunnel-FETFabrication and Characterization.- Compact Models of TFETs.- Challenges and Designs of TFET for DigitalApplications.- Atomistic Simulations of Tunneling FETs.- Quantum TransportSimulation of III-V TFETs with Reduced-Order k ·p Method.- Carbon Nanotube TFETs: StructureOptimization with Numerical Simulation.
Bibliographische Angaben
- 2018, Softcover reprint of the original 1st ed. 2016, IX, 213 Seiten, 122 farbige Abbildungen, Masse: 15,5 x 23,5 cm, Kartoniert (TB), Englisch
- Herausgegeben: Lining Zhang, Mansun Chan
- Verlag: Springer, Berlin
- ISBN-10: 3319810871
- ISBN-13: 9783319810874
Sprache:
Englisch
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