Vliqniq zaschitnogo pokrytiq na parametry fotopreobrazowatelej

V Uzbekistane problemoj preobrazovaniya solnechnoj jenergii v jelektricheskuju jenergiju pri pomoshhi solnechnyh jelementov zanimajutsya bolee 40 let. Osnovnye nauchnye issledovaniya sosredotocheny v nauchnyh podrazdeleniyah Akademii Nauk respubliki. Vedushhej organizaciej v dannoj nauchnoj oblasti yavlyaetsya Fiziko-tehnicheskij institut NPO "Fizika-Solnce" AN RUz, gde dannoj problemoj zanimajutsya neskol'ko laboratorij. Ob#ektom issledovaniya yavlyajutsya SJe, poluchennye na osnove kristallicheskogo kremniya s ispol'zovaniem zashhitnogo pokrytiya pri formirovanii r-n-perehodov. Rezul'taty provedennyh issledovanij po razrabotke ryada metodik i tehnologij - po formirovaniju zashhitnyh pokrytij na osnove SiOx i sistemy Si/SiOx, formirovaniju melkozalegajushhih p-n-perehodov metodov diffuzii cherez zashhitnyh pokrytij, issledovanie vliyanie zashhitnyh pokrytij na spektral'nye harakteristiki SJe, germetizaciya SJe v batareju i drugie pozvolili v celom usovershenstvovaniya tehnologiju izgotovleniya jeffektivnyh SJe, SB i fotojelektricheskih ustanovok v usloviyah opytnogo proizvodstva.