Förster, J: Untersuchung des Temperaturkoeffizienten und and

Die Entwicklung der Mikroelektronik der letzten Jahre ermöglicht eine zunehmende monolithische Integration von mikroelektronischen und optoelektronischen bzw. mikromechanischen Bauelementen auf einem Chip. Dabei ist der Integrationsgrad allerdings durch notwendige Geometriegrößen der optoelektronischen und mikromechanischen Bauelemente begrenzt. Ein neuer technologischer Ansatz zur Steigerung des Integrationsgrads solcher Schaltungen ist das sogenannte Above-IC Processing, bei dem oberhalb einer vollständigen CMOS-Struktur eine zusätzliche Ebene eingeführt wird, in der die optoelektronischen bzw. mikromechanischen Bauelemente realisiert werden können. Zur Ausheilung der Halbleitermaterialien dieser zusätzlichen Ebene können jedoch bedingt durch die vorhandenen CMOS-Strukturen keine üblichen thermischen Verfahren eingesetzt werden. Stattdessen muss auf ein neues Verfahren zurückgegriffen werden. Ein viel versprechendes Verfahren ist das Excimer-Laser-Annealing.Ziel dieser Arbeit ist es, das Potential des Excimer-Laser-Annealings als diesen neuen thermischen Ausheilungsschritt im Rahmen des Above-IC Processing zu bewerten. Dafür wurden mittels PECVD amorphe Silizium- bzw. Silizium-Germanium-Schichten mit dem Ansatz des Above-IC Processing entsprechenden Dotierungen und Schichtdicken hergestellt. Einige der Proben wurden strukturiert und gehäust. Ferner wurde ein Versuchsaufbau entwickelt, mit dem das Excimer-Laser-Annealing an diesen amorphen Schichten in unterschiedlichsten Konfigurationen durchgeführt werden an. So war es möglich, die Energiedichte des Lasers, die Anzahl der verwendeten Laserpulse und deren Wiederholrate und die Probentemperatur während des Excimer-Laser-Annealings gezielt zu variieren. Dadurch konnten umfangreiche Erkenntnisse über den Einfluss des Excimer-Laser-Annealings auf wichtige Eigenschaften der amorphen Schichten gewonnen werden. Bei diesen Eigenschaften