Silizium-Halbleitertechnologie
Grundlagen mikroelektronischer Integrationstechnik
Das Lehrbuch behandelt die Grundlagen und die technische Durchführung der Einzelprozesse zur mikroelektronischen Schaltungsintegration in der Silizium-Halbleitertechnologie. Die Integrationstechnik setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden...
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Produktinformationen zu „Silizium-Halbleitertechnologie “
Klappentext zu „Silizium-Halbleitertechnologie “
Das Lehrbuch behandelt die Grundlagen und die technische Durchführung der Einzelprozesse zur mikroelektronischen Schaltungsintegration in der Silizium-Halbleitertechnologie. Die Integrationstechnik setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrössen bis zu wenigen Nanometern gleichmässig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht der Prozessführung erläutert.
Inhaltsverzeichnis zu „Silizium-Halbleitertechnologie “
Herstellung von Siliziumscheiben.- Oxidation des dotierten Siliziums.- Lithografie.- Ätztechnik.- Dotiertechniken.- Depositionsverfahren.- Metallisierung und Kontakte.- Scheibenreinigung.- MOS-Technologien zur Schaltungsintegration.- Erweiterungen zur Höchstintegration.- Bipolar-Technologie.- Montage integrierter Schaltungen.Autoren-Porträt von Ulrich Hilleringmann
Prof. Dr.-Ing. Ulrich Hilleringmann leitet das Fachgebiet Sensorik an der Universität Paderborn und lehrt Halbleitertechnologie, Mikrosystemtechnik, Sensorik und Prozessmesstechnik.
Bibliographische Angaben
- Autor: Ulrich Hilleringmann
- 2019, 7. Aufl., XI, 275 Seiten, 177 Abbildungen, Masse: 16,8 x 24 cm, Kartoniert (TB), Deutsch
- Verlag: Springer, Berlin
- ISBN-10: 3658234431
- ISBN-13: 9783658234430
- Erscheinungsdatum: 18.01.2019
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