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Étude de la formation des germaniures aux joints de grains

Tome 1 : Caractérisation par DRX et AFM (Sprache: Französisch)
 
 
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La fabrication de transistors de bonne qualité nécessite la formation des contacts métalliques à base des siliciures tout au long des zones actives. Aujourd'hui, le "Si" retrouve ses limites physiques et le "Ge" pourrait dans un future proche le remplacé....
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