Elektrolumineszenz-Untersuchungen an GaInN-Facetten-Quantenfilmen
Semipolare 3D-GaInN/GaN-LEDs
GaN-basierte optoelektronische Bauelemente besitzen das Potential, u.a. allgemeine Beleuchtungstechniken und Display-Anwendungen zu revolutionieren. Effiziente Licht-Emitter im nahen UV und blauen Spektralbereich sind heute bereits kommerziell erhältlich....
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Klappentext zu „Elektrolumineszenz-Untersuchungen an GaInN-Facetten-Quantenfilmen “
GaN-basierte optoelektronische Bauelemente besitzen das Potential, u.a. allgemeine Beleuchtungstechniken und Display-Anwendungen zu revolutionieren. Effiziente Licht-Emitter im nahen UV und blauen Spektralbereich sind heute bereits kommerziell erhältlich. Deren Effizienz sinkt allerdings kontinuierlich, je höher der Indium-Anteil in der aktiven Zone wird, wie es für langwellige Emission nötig ist. Eine der Hauptursachen dieser Effizienz-Abnahme wird in den hohen piezoelektrischen Feldern vermutet, die bei konventionellen Herstellungsbedingungen nicht zu vermeiden sind. In dieser Arbeit werden neuartige LED-Strukturen diskutiert, bei denen die aktive Zone auf dreidimensionale Ga(In)N-Strukturen mit weniger polaren Kristall-Oberflächen abgeschieden wurde. Diese besitzen deutlich reduzierte interne Felder und sollten dadurch die Herstellung hoch-effizienter LEDs erlauben.
Bibliographische Angaben
- Autor: Thomas Wunderer
- 2011, 100 Seiten, Masse: 15 x 22 cm, Kartoniert (TB), Deutsch
- Verlag: VDM Verlag Dr. Müller
- ISBN-10: 3639340280
- ISBN-13: 9783639340280
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